基 納 二 極 體

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稽納二極體在电路图中的符號

稽納二極體的電流電壓關係圖，在此顯示崩潰電壓為17伏特。在此須注意的是，正向偏壓（正方向）與逆向偏壓（負方向）電壓數值的比例大小。通常可承受的正向偏壓為0.65～0.7伏特；當電流約為1毫安培時，電壓為約為0.65伏特。

齐纳二極體（英語：Zener diode），是利用二极管在反向电压作用下的稽納击穿（崩潰）效应，制造而成的一种具有稳定电压功能的电子技术元件，因此又称为“稳压二極體”。

齐纳二極體的名稱是取自美國理論物理學家克拉倫斯·梅爾文·齐纳，他首先闡述了絕緣體的电击穿特性，後來貝爾實驗室運用這項發現，開發出此種二極體，並以齐纳作為命名以茲紀念。

目录

• 1 基本原理
  • 1.1 與一般二極體有何異同
• 2 優點
• 3 參見
• 4 参考文献

基本原理[编辑]

参见：二极管和PN结

一般二極體正向導通時電壓可維持在0.7V，可提供穩定的電壓，但如果我們需要更大的電壓時，則需串聯很多的二極體，使用上不是很方便。但觀察二極體逆向偏壓很大時，所發生的击穿現象，此現象和正向導通時情況類似，都有穩壓穩流的特性。因此，利用這個特性發明了這種特殊的二極體——齐纳二極體，特別用在逆向偏壓的击穿範圍。通常齐纳二極體掺雜濃度為。

與一般二極體有何異同[编辑]

齐纳二極體的順向偏壓和一般二極體相同，但是其反向击穿電壓（又稱齐纳電壓）的範圍遠大於一般的二極體，能承受比一般二極體更高的電壓，而且齐纳二極體的逆向電壓操作是可逆的。常見的齐纳電壓從3伏特到100伏特。

優點[编辑]

齐纳二極體可以簡化電路，如上所說，如果需要多顆二極體串聯的電路，則可以用齐纳二極體來簡化電路。齐纳二極體的這些特性，在電壓比較器、直流穩壓電源等方面有廣泛的應用。

參見[编辑]

• 线性调节器
• 二极管
• PN结

参考文献[编辑]

• 施敏; 伍國珏; 譯者：張鼎張、劉柏村. 半導體元件物理學(上冊). 臺灣: 國立交通大學. 2008-08-01 [2008]. ISBN 978-986-843-951-1 （中文）. （繁體中文）
• 施敏; 伍國珏; 譯者：張鼎張、劉柏村. 半導體元件物理學(下冊). 臺灣: 國立交通大學. 2009-04-14 [2009]. ISBN 978-986-843-954-2 （中文）. （繁體中文）

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