{{iphone.name}} Show {{iphone.geekbenchScore.multi}} {{iphone.slogan}}
CPU {{iphone.cpu.model}} {{iphone.cpu.rate}} × {{iphone.cpu.core}} - GPU {{iphone.gpu.model || '-'}} × {{iphone.gpu.core}} 内存 {{memory.size}}GB {{memory.type}} 存储
{{item}} {{item}} GB {{item / 1024}} TB SIM {{sim.name}} {{sim.type || '单卡'}} 系统 {{iphone.os.init}} 初始 {{iphone.os.last}} 最后 型号 {{model.name}} {{model.type}} 了解如何通过 iPhone 的型号和其他细节来识别 iPhone 机型。 查找型号 iPhone 14 Pro Max推出年份：2022 年 细节：iPhone 14 Pro Max 拥有 6.7 英寸1 全面屏超视网膜 XDR 显示屏。采用优质亚光质感玻璃背板设计，机身环绕直边不锈钢边框。侧边按钮位于设备的右侧。背面有三个相机/摄像头：超广角相机、主摄像头和长焦相机。背面有一个激光雷达扫描仪。背面有一个 LED 原彩闪光灯。美国版机型上没有 SIM 卡托。在其他国家或地区，左侧有一个 SIM 卡托，用于放置“第四种规格”(4FF) 的 nano-SIM 卡。 请参阅“iPhone 14 Pro Max 的技术规格”。 iPhone 14 Pro推出年份：2022 年 细节：iPhone 14 Pro 拥有 6.1 英寸1 全面屏超视网膜 XDR 显示屏。采用优质亚光质感玻璃背板设计，机身环绕直边不锈钢边框。侧边按钮位于设备的右侧。背面有三个相机/摄像头：超广角相机、主摄像头和长焦相机。背面有一个激光雷达扫描仪。背面有一个 LED 原彩闪光灯。美国版机型上没有 SIM 卡托。在其他国家或地区，左侧有一个 SIM 卡托，用于放置“第四种规格”(4FF) 的 nano-SIM 卡。 请参阅“iPhone 14 Pro 的技术规格”。 iPhone 14 Plus推出年份：2022 年 细节：iPhone 14 Plus 配备 6.7 英寸1 全面屏超视网膜 XDR 显示屏。玻璃背板，机身环绕直边阳极氧化铝边框。侧边按钮位于设备的右侧。背面有两个相机/摄像头：超广角相机和主摄像头。美国版机型上没有 SIM 卡托。在其他国家或地区，左侧有一个 SIM 卡托，用于放置“第四种规格”(4FF) 的 nano-SIM 卡。 请参阅“iPhone 14 Plus 的技术规格”。 iPhone 14推出年份：2022 年 细节：iPhone 14 拥有 6.1 英寸1 全面屏超视网膜 XDR 显示屏。玻璃背板，机身环绕直边阳极氧化铝边框。侧边按钮位于设备的右侧。背面有两个相机/摄像头：超广角相机和主摄像头。美国版机型上没有 SIM 卡托。在其他国家或地区，左侧有一个 SIM 卡托，用于放置“第四种规格”(4FF) 的 nano-SIM 卡。 请参阅“iPhone 14 的技术规格”。 iPhone SE（第 3 代）推出年份：2022 年 细节：显示屏为 4.7 英寸（对角线）。正面玻璃平整，具有弧形边缘。采用玻璃背板设计，机身环绕阳极氧化铝边框。侧边按钮位于设备的右侧。设备配备了具有触控 ID 的固态主屏幕按钮。背面有一个 1200 万像素广角相机。背面有一个 LED 原彩闪光灯，右侧有一个 SIM 卡托，用于放置“第四种规格”(4FF) 的 nano-SIM 卡。IMEI 蚀刻在 SIM 卡托架上。 请参阅“iPhone SE（第 3 代）的技术规格”。 iPhone 13 Pro Max推出年份：2021 年 细节：iPhone 13 Pro Max 拥有支持 ProMotion 自适应刷新率技术的 6.7 英寸1 全面屏超视网膜 XDR 显示屏。采用磨砂玻璃背板设计，机身环绕直边不锈钢边框。侧边按钮位于设备的右侧。背面有三颗 1200 万像素摄像头：分别为超广角、广角和长焦摄像头。背面有一个激光雷达扫描仪。背面有一个 2-LED 原彩闪光灯，左侧有一个 SIM 卡托架，用于放置“第四种规格”(4FF) 的 nano-SIM 卡。IMEI 蚀刻在 SIM 卡托架上。 请参阅“iPhone 13 Pro Max 的技术规格”。 iPhone 13 Pro推出年份：2021 年 容量：128 GB、256 GB、512 GB、1 TB 细节：iPhone 13 Pro 拥有支持 ProMotion 自适应刷新率技术的 6.1 英寸1 全面屏超视网膜 XDR 显示屏。采用磨砂玻璃背板设计，机身环绕直边不锈钢边框。侧边按钮位于设备的右侧。背面有三颗 1200 万像素摄像头：分别为超广角、广角和长焦摄像头。背面有一个激光雷达扫描仪。背面有一个 2-LED 原彩闪光灯，左侧有一个 SIM 卡托架，用于放置“第四种规格”(4FF) 的 nano-SIM 卡。IMEI 蚀刻在 SIM 卡托架上。 请参阅“iPhone 13 Pro 的技术规格”。 iPhone 13推出年份：2021 年 细节：iPhone 13 拥有 6.1 英寸1 全面屏超视网膜 XDR 显示屏。玻璃背板，机身环绕直边阳极氧化铝边框。侧边按钮位于设备的右侧。背面有两颗 1200 万像素摄像头：分别为超广角和广角摄像头。背面有一个 2-LED 原彩闪光灯，左侧有一个 SIM 卡托架，用于放置“第四种规格”(4FF) 的 nano-SIM 卡。IMEI 蚀刻在 SIM 卡托架上。 请参阅“iPhone 13 的技术规格”。 iPhone 13 mini推出年份：2021 年 细节：iPhone 13 mini 拥有 5.4 英寸1 全面屏超视网膜 XDR 显示屏。玻璃背板，机身环绕直边阳极氧化铝边框。侧边按钮位于设备的右侧。背面有两颗 1200 万像素摄像头：分别为超广角和广角摄像头。背面有一个 2-LED 原彩闪光灯，左侧有一个 SIM 卡托架，用于放置“第四种规格”(4FF) 的 nano-SIM 卡。IMEI 蚀刻在 SIM 卡托架上。 请参阅“iPhone 13 mini 的技术规格”。 iPhone 12 Pro Max推出年份：2020
年 细节：iPhone 12 Pro Max 拥有 6.7 英寸1 全面屏超视网膜 XDR 显示屏。采用磨砂玻璃背板设计，机身环绕直边不锈钢边框。侧边按钮位于设备的右侧。背面有三颗 1200 万像素摄像头：分别为超广角、广角和长焦摄像头。背面有一个激光雷达扫描仪。背面有一个 2-LED 原彩闪光灯，左侧有一个 SIM 卡托架，用于放置“第四种规格”(4FF) 的 nano-SIM 卡。IMEI 蚀刻在 SIM 卡托架上。 请参阅“iPhone 12 Pro Max 的技术规格”。 iPhone 12 Pro推出年份：2020 年 细节：iPhone 12 Pro 拥有 6.1 英寸1 全面屏超视网膜 XDR 显示屏。采用磨砂玻璃背板设计，机身环绕直边不锈钢边框。侧边按钮位于设备的右侧。背面有三颗 1200 万像素摄像头：分别为超广角、广角和长焦摄像头。背面有一个激光雷达扫描仪。背面有一个 2-LED 原彩闪光灯，左侧有一个 SIM 卡托架，用于放置“第四种规格”(4FF) 的 nano-SIM 卡。IMEI 蚀刻在 SIM 卡托架上。 请参阅“iPhone 12 Pro 的技术规格”。 iPhone 12推出年份：2020 年 细节：iPhone 12 拥有 6.1 英寸1 全面屏超视网膜 XDR 显示屏。玻璃背板，机身环绕直边阳极氧化铝边框。侧边按钮位于设备的右侧。背面有两颗 1200 万像素摄像头：分别为超广角和广角摄像头。背面有一个 2-LED 原彩闪光灯，左侧有一个 SIM 卡托架，用于放置“第四种规格”(4FF) 的 nano-SIM 卡。IMEI 蚀刻在 SIM 卡托架上。 请参阅“iPhone 12 的技术规格”。 iPhone 12 mini推出年份：2020 年 细节：iPhone 12 mini 拥有 5.4 英寸1 全面屏超视网膜 XDR 显示屏。玻璃背板，机身环绕直边阳极氧化铝边框。侧边按钮位于设备的右侧。背面有两颗 1200 万像素摄像头：分别为超广角和广角摄像头。背面有一个 2-LED 原彩闪光灯，左侧有一个 SIM 卡托架，用于放置“第四种规格”(4FF) 的 nano-SIM 卡。IMEI 蚀刻在 SIM 卡托架上。 请参阅“iPhone 12 mini 的技术规格”。 iPhone SE（第 2 代）推出年份：2020 年 细节：显示屏为 4.7 英寸（对角线）。正面玻璃平整，具有弧形边缘。采用玻璃背板设计，机身环绕阳极氧化铝边框。侧边按钮位于设备的右侧。设备配备了具有触控 ID 的固态主屏幕按钮。背面有一个 4-LED 原彩闪光灯，右侧有一个 SIM 卡托架，用于放置“第四种规格”(4FF) 的 nano-SIM 卡。IMEI 蚀刻在 SIM 卡托架上。 请参阅“iPhone SE（第 2 代）的技术规格”。 iPhone 11 Pro推出年份：2019 年 细节：iPhone 11 Pro 拥有 5.8 英寸1全面屏超视网膜 XDR 显示屏。采用磨砂玻璃背板设计，机身环绕不锈钢边框。侧边按钮位于设备的右侧。背面有三颗 1200 万像素摄像头：分别为超广角、广角和长焦摄像头。背面有一个 2-LED 原彩闪光灯，右侧有一个 SIM 卡托架，用于放置“第四种规格”(4FF) 的 nano-SIM 卡。IMEI 蚀刻在 SIM 卡托架上。 请参阅“iPhone 11 Pro 的技术规格”。 iPhone 11 Pro Max推出年份：2019 年 细节：iPhone 11 Pro Max 拥有 6.5 英寸1全面屏超视网膜 XDR 显示屏。采用磨砂玻璃背板设计，机身环绕不锈钢边框。侧边按钮位于设备的右侧。背面有三颗 1200 万像素摄像头：分别为超广角、广角和长焦摄像头。背面有一个 2-LED 原彩闪光灯，右侧有一个 SIM 卡托架，用于放置“第四种规格”(4FF) 的 nano-SIM 卡。IMEI 蚀刻在 SIM 卡托架上。 请参阅“iPhone 11 Pro Max 的技术规格”。 iPhone 11推出年份：2019 年 细节：iPhone 11 拥有 6.1 英寸1 Liquid 视网膜显示屏。采用玻璃背板设计，机身环绕阳极氧化铝边框。侧边按钮位于设备的右侧。背面有两颗 1200 万像素摄像头：分别为超广角和广角摄像头。背面有一个 2-LED 原彩闪光灯，右侧有一个 SIM 卡托架，用于放置“第四种规格”(4FF) 的 nano-SIM 卡。IMEI 蚀刻在 SIM 卡托架上。 请参阅“iPhone 11 的技术规格”。 iPhone XS推出年份：2018 年 细节：iPhone XS 拥有 5.8 英寸1全面屏超视网膜显示屏。采用玻璃背板设计，机身环绕不锈钢边框。侧边按钮位于设备的右侧。背面有 1200 万像素广角及长焦双镜头摄像头。背面有一个 4-LED 原彩闪光灯，右侧有一个 SIM 卡托架，用于放置“第四种规格”(4FF) 的 nano-SIM 卡。IMEI 蚀刻在 SIM 卡托架上。 请参阅“iPhone XS 的技术规格”。 iPhone XS Max推出年份：2018 年 细节：iPhone XS Max 拥有 6.5 英寸1全面屏超视网膜显示屏。采用玻璃背板设计，机身环绕不锈钢边框。侧边按钮位于设备的右侧。背面有 1200 万像素广角及长焦双镜头摄像头。背面有一个 4-LED 原彩闪光灯，右侧有一个 SIM 卡托架，用于放置“第四种规格”(4FF) 的 nano-SIM 卡。3IMEI 蚀刻在 SIM 卡托架上。 请参阅“iPhone XS Max 的技术规格”。 iPhone XR推出年份：2018 年 细节：iPhone XR 拥有 6.1 英寸1 Liquid 视网膜显示屏。采用玻璃背板设计，机身环绕阳极氧化铝边框。侧边按钮位于设备的右侧。背面有 1200 万像素广角摄像头。背面有一个 4-LED 原彩闪光灯，右侧有一个 SIM 卡托架，用于放置“第四种规格”(4FF) 的 nano-SIM 卡。IMEI 蚀刻在 SIM 卡托架上。 请参阅“iPhone XR 的技术规格”。 iPhone X推出年份：2017 年 细节：iPhone X 拥有 5.8 英寸1全面屏超视网膜显示屏。采用玻璃背板设计，机身环绕不锈钢边框。侧边按钮位于设备的右侧。背面有 1200 万像素广角及长焦双镜头摄像头。背面有一个 4-LED 原彩闪光灯，右侧有一个 SIM 卡托架，用于放置“第四种规格”(4FF) 的 nano-SIM 卡。IMEI 蚀刻在 SIM 卡托架上。 请参阅“iPhone X 的技术规格”。 iPhone 8推出年份：2017 年 细节：显示屏为 4.7 英寸（对角线）。正面玻璃平整，具有弧形边缘。采用玻璃背板设计，机身环绕阳极氧化铝边框。侧边按钮位于设备的右侧。设备配备了具有触控 ID 的固态主屏幕按钮。背面有一个 4-LED 原彩闪光灯，右侧有一个 SIM 卡托架，用于放置“第四种规格”(4FF) 的 nano-SIM 卡。IMEI 蚀刻在 SIM 卡托架上。 请参阅“iPhone 8 的技术规格”。 iPhone 8 Plus推出年份：2017 年 细节：显示屏为 5.5 英寸（对角线）。正面玻璃平整，具有弧形边缘。采用玻璃背板设计，机身环绕阳极氧化铝边框。侧边按钮位于设备的右侧。设备配备了具有触控 ID 的固态主屏幕按钮。背面有 1200 万像素广角及长焦双镜头摄像头。背面有一个 4-LED 原彩闪光灯，右侧有一个 SIM 卡托架，用于放置“第四种规格”(4FF) 的 nano-SIM 卡。IMEI 蚀刻在 SIM 卡托架上。 请参阅“iPhone 8 Plus 的技术规格”。 iPhone 7推出年份：2016 年 细节：显示屏为 4.7 英寸（对角线）。正面玻璃平整，具有弧形边缘。背面采用经过阳极氧化处理的铝金属。睡眠/唤醒按钮位于设备的右侧。设备配备了具有触控 ID 的固态主屏幕按钮。背面有一个 4-LED 原彩闪光灯，右侧有一个 SIM 卡托架，用于放置“第四种规格”(4FF) 的 nano-SIM 卡。IMEI 蚀刻在 SIM 卡托架上。 请参阅“iPhone 7 的技术规格”。 iPhone 7 Plus推出年份：2016 年 细节：显示屏为 5.5 英寸（对角线）。正面玻璃平整，具有弧形边缘。背面采用经过阳极氧化处理的铝金属。睡眠/唤醒按钮位于设备的右侧。设备配备了具有触控 ID 的固态主屏幕按钮。背面有 1200 万像素双摄像头。背面有一个 4-LED 原彩闪光灯，右侧有一个 SIM 卡托架，用于放置“第四种规格”(4FF) 的 nano-SIM 卡。IMEI 蚀刻在 SIM 卡托架上。 请参阅“iPhone 7 Plus 的技术规格”。 iPhone SE（第 1 代）推出年份：2016 年 细节：显示屏为 4 英寸（对角线）。正面玻璃平整。背面采用经过阳极氧化处理的铝金属，倒角边缘经过哑光处理，并嵌入了不锈钢标志。睡眠/唤醒按钮位于设备的顶部。主屏幕按钮具有触控 ID。背面有一个原彩 LED 闪光灯，右侧有一个 SIM 卡托架，用于放置“第四种规格”(4FF) 的 nano-SIM 卡。IMEI 蚀刻在后盖上。 请参阅“iPhone SE 的技术规格”。 iPhone 6s推出年份：2015 年 细节：显示屏为 4.7 英寸（对角线）。正面玻璃平整，具有弧形边缘。背面采用经过阳极氧化处理的铝金属，带有激光蚀刻的“S”。睡眠/唤醒按钮位于设备的右侧。主屏幕按钮具有触控 ID。背面有一个原彩 LED 闪光灯，右侧有一个 SIM 卡托架，用于放置“第四种规格”(4FF) 的 nano-SIM 卡。IMEI 蚀刻在 SIM 卡托架上。 请参阅“iPhone 6s 的技术规格”。 iPhone 6s Plus推出年份：2015 年 细节：显示屏为 5.5 英寸（对角线）。正面平整，具有弧形边缘，由玻璃材料制成。背面采用经过阳极氧化处理的铝金属，带有激光蚀刻的“S”。睡眠/唤醒按钮位于设备的右侧。主屏幕按钮具有触控 ID。背面有一个原彩 LED 闪光灯，右侧有一个 SIM 卡托架，用于放置“第四种规格”(4FF) 的 nano-SIM 卡。IMEI 蚀刻在 SIM 卡托上。 请参阅“iPhone 6s Plus 的技术规格”。 iPhone 6推出年份：2014 年 细节：显示屏为 4.7 英寸（对角线）。正面平整，具有弧形边缘，由玻璃材料制成。背面采用经过阳极氧化处理的铝金属。睡眠/唤醒按钮位于设备的右侧。主屏幕按钮具有触控 ID。背面有一个原彩 LED 闪光灯，右侧有一个 SIM 卡托架，用于放置“第四种规格”(4FF) 的 nano-SIM 卡。IMEI 蚀刻在后盖上。 请参阅“iPhone 6 的技术规格”。 iPhone 6 Plus推出年份：2014 年 细节：显示屏为 5.5 英寸（对角线）。正面具有弧形边缘，由玻璃材料制成。背面采用经过阳极氧化处理的铝金属。睡眠/唤醒按钮位于设备的右侧。主屏幕按钮具有触控 ID。背面有一个原彩 LED 闪光灯，右侧有一个 SIM 卡托架，用于放置“第四种规格”(4FF) 的 nano-SIM 卡。IMEI 蚀刻在后盖上。 请参阅“iPhone 6 Plus 的技术规格”。
iPhone 5s推出年份：2013 年 细节：正面平整，由玻璃材料制成。背面采用经过阳极氧化处理的铝金属。主屏幕按钮包含触控 ID。背面有一个原彩 LED 闪光灯，右侧有一个 SIM 卡托架，用于放置“第四种规格”(4FF) 的 nano-SIM 卡。IMEI 蚀刻在后盖上。 请参阅“iPhone 5s 的技术规格”。 iPhone 5c推出年份：2013 年 细节：正面平整，由玻璃材料制成。背面由硬质涂层聚碳酸酯（塑料）制成。右侧有一个 SIM 卡托架，用于放置“第四种规格”(4FF) 的 nano-SIM 卡。IMEI 蚀刻在后盖上。 请参阅“iPhone 5c 的技术规格”。 iPhone 5推出年份：2012 年 细节：正面平整，由玻璃材料制成。背面采用经过阳极氧化处理的铝金属。右侧有一个 SIM 卡托架，用于放置“第四种规格”(4FF) 的 nano-SIM 卡。IMEI 蚀刻在后盖上。 请参阅“iPhone 5 的技术规格”。 iPhone 4s推出年份：2011 年 细节：正面和背面都平整，由玻璃材料制成，边缘周围有不锈钢饰框。调高音量和调低音量按钮分别标有“+”和“-”符号。右侧有一个 SIM 卡托，用于放置“第三种规格”(3FF) 的 micro-SIM 卡。 请参阅“iPhone 4s 的技术规格”。 iPhone 4推出年份：2010 年（GSM 机型）、2011 年（CDMA 机型） 细节：正面和背面都平整，由玻璃材料制成，边缘周围有不锈钢饰框。调高音量和调低音量按钮分别标有“+”和“-”符号。右侧有一个 SIM 卡托架，用于放置“第三种规格”(3FF) 的 micro-SIM 卡。CDMA 机型没有 SIM 卡托。 请参阅“iPhone 4 的技术规格”。 iPhone 3GS推出年份：2009 年 细节：后盖由塑料材料制成。后盖上的刻印是与 Apple 标志相同的亮银色。顶部有一个 SIM 卡托，用于放置“第二种规格”(2FF) 的 mini-SIM 卡。序列号印在 SIM 卡托上。 请参阅“iPhone 3GS 的技术规格”。 iPhone 3G推出年份：2008 年、2009 年（中国大陆） 细节：后盖由塑料材料制成。手机背面的刻印没有其上方的 Apple 标志亮。顶部有一个 SIM 卡托，用于放置“第二种规格”(2FF) 的 mini-SIM 卡。序列号印在 SIM 卡托上。 请参阅“iPhone 3G 的技术规格”。 iPhone推出年份：2007 年 细节：后盖由经过阳极氧化处理的铝金属制成。顶部有一个 SIM 卡托，用于放置“第二种规格”(2FF) 的 mini-SIM 卡。序列号蚀刻在后盖上。 请参阅“iPhone 的技术规格”。
有关非 Apple 制造的产品或非 Apple 控制或测试的独立网站的信息仅供参考，不代表 Apple 的任何建议或保证。Apple 对于第三方网站或产品的选择、性能或使用不承担任何责任。Apple 对于第三方网站的准确性和可靠性不作任何担保。联系供应商以了解其他信息。 发布日期： 2022 年 09 月 30 日 |
Iphone参数
版權 © 2024 zh.frojeostern Inc.
