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稽納二極體在电路图中的符號
稽納二極體的電流電壓關係圖,在此顯示崩潰電壓為17伏特。在此須注意的是,正向偏壓(正方向)與逆向偏壓(負方向)電壓數值的比例大小。通常可承受的正向偏壓為0.65~0.7伏特;當電流約為1毫安培時,電壓為約為0.65伏特。
齐纳二極體(英語:Zener
diode),是利用二极管在反向电压作用下的稽納击穿(崩潰)效应,制造而成的一种具有稳定电压功能的电子技术元件,因此又称为“稳压二極體”。
齐纳二極體的名稱是取自美國理論物理學家克拉倫斯·梅爾文·齐纳,他首先闡述了絕緣體的电击穿特性,後來貝爾實驗室運用這項發現,開發出此種二極體,並以齐纳作為命名以茲紀念。
目录
基本原理[编辑]
参见:二极管和PN结
一般二極體正向導通時電壓可維持在0.7V,可提供穩定的電壓,但如果我們需要更大的電壓時,則需串聯很多的二極體,使用上不是很方便。但觀察二極體逆向偏壓很大時,所發生的击穿現象,此現象和正向導通時情況類似,都有穩壓穩流的特性。因此,利用這個特性發明了這種特殊的二極體——齐纳二極體,特別用在逆向偏壓的击穿範圍。通常齐纳二極體掺雜濃度為。
與一般二極體有何異同[编辑]
齐纳二極體的順向偏壓和一般二極體相同,但是其反向击穿電壓(又稱齐纳電壓)的範圍遠大於一般的二極體,能承受比一般二極體更高的電壓,而且齐纳二極體的逆向電壓操作是可逆的。常見的齐纳電壓從3伏特到100伏特。
優點[编辑]
齐纳二極體可以簡化電路,如上所說,如果需要多顆二極體串聯的電路,則可以用齐纳二極體來簡化電路。齐纳二極體的這些特性,在電壓比較器、直流穩壓電源等方面有廣泛的應用。
參見[编辑]
参考文献[编辑]
- 施敏; 伍國珏; 譯者:張鼎張、劉柏村. 半導體元件物理學(上冊). 臺灣:
國立交通大學. 2008-08-01 [2008]. ISBN 978-986-843-951-1
(中文).
(繁體中文)
- 施敏; 伍國珏; 譯者:張鼎張、劉柏村. 半導體元件物理學(下冊). 臺灣:
國立交通大學. 2009-04-14 [2009]. ISBN 978-986-843-954-2
(中文).
(繁體中文)
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